低溫退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長的薄膜的狀態，修復注入的損傷，移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。低溫退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設計的設備完成的。退火爐是節能型周期式作業爐，超節能結構，采用纖維結構，節電60%。

退火爐骨架由各種型鋼焊接而成，外框用槽鋼作主梁，圍板采用冷薄板，臺車用槽鋼作主梁，底板及前后端板采用中板。退火爐傳動部分：臺車傳動采用電動機、減速機通過鏈條帶動前端一組主動輪傳動。爐門傳動是采用蝸輪減速機和電動機組合電動升降。

退火爐燃燒系統：在油爐兩側各安裝數只燒咀，熱流在爐內往復循環，確保爐溫均勻性。根據需要可選定自動型和半自動型。